产品信息n品牌原始品牌n原产地原始n型号IXTH120P065Tn工作温度标准n系列所有晶体管类型n安装类型SMT/SMD贴片n描述MOSFETn类型MOSFETn直流新n封装类型表面贴装n应用MOSFET驱动器n供应商类型原始制造商n交叉引用/n可用媒体数据表n品牌晶体管n集电极电流（Ic）（最大）标准n集电极发射极击穿电压（最大）标准nVce饱和（最大）@Ib，Ic标准n集电极截止电流（最大）标准n直流电流增益（hFE）（最小）@Ic，Vce标准n功率（最大）标准n频率转换标准n工作温度标准n安装方式标准n封装/外壳标准n基极电阻（R1）标准n发射极基电阻（R2）标准n场效应晶体管类型标准n场效应晶体管特性标准n源极漏电压（Vdss）标准n连续漏电流（Id）@25℃标准n导通电阻（RdsOn）（最大）@Id，Vgs标准n阈值电压（Vgs）（最大）@Id标准n电荷量（Qg）（最大）@Vgs标准n输入电容（Ciss）（最大）@Vds标准n频率标准n额定电流（安培）标准n噪声系数标准n输出功率标准n额定电压标准n驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）标准nVgs（最大）标准nIGBT类型标准n配置标准等。nThe rest of the specifications are all set as standard. Standard configurations such as Vce(on)（最大）@Vge，Ic，输入电容（Cies）@Vce，输入，NTC热敏电阻器，电压击穿（V(BR)GSS），电流排水沟等都有明确规定。

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