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基本信息产品详情
基本信息
| 型号编号 | 30N50场效应管 |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌名称 | YR |
| 包装类型 | 表面安装 |
| 描述 | 30N50场效应管 |
| 原产地 | 中国江苏 |
| 包装/外壳 | 到220 |
| 应用程序 | 电源开关电路 |
| 供应商类型 | 原始制造商,原始设计制造商,代理机构,零售商,其他,其他 |
| 可用的媒介 | 数据表、照片、EDA/CAD模型、其他 |
| 品牌 | 30N50场效应管 |
| 电流-收集器(Ic)(最大值) | 空 |
| 电压-集电极发射极击穿(最大值) | 空 |
| Vce 饱和度(最大值)@Ib,Ic | 空 |
| 当前-集电极截止(最大值) | 空 |
| DC电流增益(hFE)(最小值)@Ic,Vce | 空 |
| 最大功率 | 空 |
| 频率-转换 | 空 |
| 工作温度 | 空 |
| 装设类型 | 贯通孔 |
| 电阻基极(R1) | 空 |
| 电阻器-发射极-基极(R2) | 空 |
| 均衡滤波器类型 | 空 |
| FET特性 | 碳化硅(SiC) |
| 漏源电压(Vdss) | 空 |
| 在25°C时的连续漏电流(Id) | 空 |
| Rds开启(最大)@Id,Vgs | 空 |
| Vgs(th)(最大值)@Id | 空 |
| 门极电荷(Qg)(最大值)@Vgs | 空 |
| 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds | 空 |
| 频率 | 空 |
| 额定电流(安培) | 空 |
| 噪声系数 | 空 |
| 功率输出 | 空 |
| 电压-额定值 | 空 |
| 驱动电压(最大RDS ON,最小RDS ON) | 空 |
| Vgs(最大值) | 空 |
| IGBT类型 | 空 |
| 配置 | 单身 |
| Vce(on) (最大值) @ Vge,Ic | 空 |
| Vce的输入电容(Cies) | 空 |
| 输入 | 空 |
| NTC热敏电阻 | 空 |
| 电压击穿(V(BR)GSS) | 空 |
| 电流-漏极(Idss)在Vds(Vgs=0)时 | 空 |
| 最大漏电流(Id) | 空 |
| 电压-截止(VGS截止)@Id | 空 |
| 电阻-RDS(开) | 空 |
| 电压 | 空 |
| 电压-输出 | 空 |
| 电压偏移(Vt) | 空 |
| 电流-栅极至阳极泄漏(Igao) | 空 |
| 当前-山谷(IV) | 空 |
| 目前 - 峰值 | 空 |
| 应用程序 | 空 |
| 名字 | 30N50 mosfet |
| 产品名称 | |
| 最小订单量 | 100件 |
| 用法 | 车载充电器 |
| 包装 | To-220 |
| 交货提前期 | 3-15天 |
| 产地 | 中国江苏省 |
| 支付 | PayPal:贝宝; Visa:维萨; West Union:西联汇款; Union:联盟; T/T:电汇 |
| 装运 | DHL(中外运敦豪)、UPS(联合包裹服务公司)、Fedex(联邦快递)、EMS(邮政特快专递)、HK Post(香港邮政) |
| 销售单位 | 单件 |
| 单一包装尺寸: | 0.16乘以0.41乘以1.49厘米 |
| 毛重 | 0.04 kg |
产品详情
产品描述
30N50 40N50 60N50 100N50 IC全新原装Mosfet晶体管500V 63A TO-247 SRC60R055BS
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YR30N50P硅N通道增强型VDMOSFETs的一般描述:采用自对准平面技术,降低传导损耗,提高开关性能,增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源转换电路,实现系统小型化和高效率,符合RoHS标准。nn特性:nn* VDS=500V;ID=30A@ VGS=10V;RDS(ON)<0.10Ω @ VGS=10Vn* 快速开关n* ESD能力提升n* 反向转移动电容降低(典型值:80pF)n* 100%单脉冲雪崩能量测试nn应用:nn* 适配器和充电器的电源开关电路
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特点:1.高性能、兼容性强、可靠。2. 百分百原创且最新。3. 安全且环保。4. 高级低功耗设计。5. 耐用、稳定、持久。专业测试报告可供查阅
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30N50、40N50、60N50、100N50 IC全新原装场效应管晶体管500V 63A TO-247 SRC60R055BS
¥10.02 ~ ¥10.89
消费电子产业链 · 分立半导体 · 晶体管
品牌30N50场效应管


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