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product金腾品牌原装MOS场效应管,500V 600V 650V 700V 800V 900V功率晶体管冷却型MOS
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基本信息产品详情

基本信息

型号编号Din-Tek Coolmos
类型MOSFET
品牌名称鼎泰科技
包装类型穿透式晶圆切片
描述鼎泰克酷馍丝
原产地中国 广东
包装/外壳TO-220
D/C标准
应用程序标准
供应商类型原始制造商、原始设计制造商、代理机构
可用媒体数据表、照片、EDA/CAD模型
品牌迪耐特Coolmos
目前-收集器(Ic)(最大值)标准
电压-集电极发射极击穿(最大值)标准
Vce饱和度(最大值)@Ib,Ic标准
电流 - 收集器截止 (最大值)标准
DC电流增益(hFE)(最小值)@Ic,Vce标准
普莱克斯-马克斯标准
频率-过渡标准
工作温度标准
安装类型贯孔
电阻-基座(R1)标准
电阻器 - 发射极基极 (R2)标准
均衡滤波器类型标准
FET特征标准
漏源电压(Vdss)标准
在25°C时的连续漏电流(Id)标准
Rds开启(最大)@Id,Vgs标准
Vgs标准
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs标准
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds标准
频率标准
额定电流(安培)标准
噪声系数标准
功率输出标准
额定电压标准
驱动电压(最大通态电阻值,最小通态电阻值)标准
Vgs(最大值)标准
IGBT类型标准
配置单一信道
Vce(on) (最大值) @ Vge,Ic标准
Vce下的输入电容(Cies)标准
输入标准
NTC 热敏电阻标准
电压-击穿(V(BR)GSS)标准
在 Vds(Vgs=0)下的电流-漏极损耗(Idss)标准
最大漏电流(Id)标准
电压-截止(VGS截止)@ Id标准
电阻-RDS(开路)标准
电压标准
电压-输出标准
电压偏移(Vt)标准
电场中的沟道电流漏至阳极(漏极电流Igao)标准
当前-山谷(四)标准
目前 - 峰值标准
应用程序标准
产品名称TO-220 Sic Mosfet晶体管
品牌鼎泰半导体
质量百分之百原厂出品 百分百品牌
BV(V)500/600/650/700/800/900
VGS30
Vt(V)二分之三
RDS0.021减去2.4
类型0.0003%
交货期3到7天
付款Paypal、TT、Western Union、贸易保证
港口深圳/香港
供应能力每周十万件

产品详情

规格
Din-Tek品牌原装Mosfet晶体管 500V 600V 650V 700V 800V 900V功率晶体管Coolmos
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常见问题解答
Q: 你们是制造商吗?A: 是的,我们是制造商。我们为客户提供MOSFET的设计、开发、包装和销售。Q: 你们可以提供样品吗?A: 可以,但运费需要客户自己承担。Q: 你们的最小订购量是多少?A: 每个产品的最小订购量不同,请联系我们。Q: 你们的支付项目是什么?A: 电汇、西联汇款、支付宝、贝宝等。Q: 你们的运输方式是什么?A: 联合包裹服务公司、敦豪国际快递、联邦快递、全球邮政特快专递等。Q: 你们如何让业务长期保持良好关系?A: 1. 我们提供高质量的产品和具有竞争力的价格,以确保客户受益。2. 我们喜欢与客户交朋友并欢迎每一位客户参观我们的办公室。
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金腾品牌原装MOS场效应管,500V 600V 650V 700V 800V 900V功率晶体管冷却型MOS
¥3.63
消费电子产业链 · 分立半导体 · 晶体管
品牌迪耐特Coolmos
品牌鼎泰半导体
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