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基本信息产品详情
基本信息
| 型号编号 | 2SK3868 |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌名称 | 赫斯特 |
| 包装类型 | - |
| 装设类型 | 贯孔 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
| 原产地 | 中国 广东 |
| 包装/案例 | TO-220-3 |
| 类型 | MOSFET |
| 工作温度 | 摄氏150度 |
| 系列 | MOSFET |
| D/C=Death/Change。指死亡和变化。 | - |
| 应用程序 | - |
| 交叉引用 | - |
| 可用媒体 | EDA/CAD模型 |
| 品牌 | 2k3868 |
| 电流-收集器（Ic）（最大值） | - |
| 电压-集电极发射极击穿（最大值） | - |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib，Ic | - |
| 电流 - 收集器截止 (最大值) | - |
| DC电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic、Vce | - |
| 功率最大值 | - |
| 频率-过渡 | - |
| 工作温度 | 150摄氏度（热力学温度） |
| 安装类型 | 贯穿孔 |
| 电阻基极（R1） | - |
| 电阻 - 发射极 - 基极（R2） | - |
| 均衡滤波器类型 | N通道 |
| FET特性 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 500伏 |
| 当前连续排水(Id) 25℃ | 5安培(Ta) |
| 在（最大）漏极电流 @ 栅极源电压时接通（Id、Vgs） | 1.7欧姆 2.5安培 10伏 |
| Vgs | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 16纳库（nC）在10伏特（V）下 |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 550皮法，耐压25伏 |
| 频率 | - |
| 电流额定值（安培） | - |
| 噪声系数 | - |
| 功率 - 输出 | - |
| 电压额定值 | - |
| 驱动电压（最大RDS，最小RDS） | 10V |
| Vgs (最大值) | 正负30伏 |
| IGBT类型 | - |
| 配置 | - |
| Vce(on) (最大值) @ Vge，Ic | - |
| Vce下的输入电容（Cies） | - |
| 输入 | - |
| NTC 热敏电阻 | - |
| 电压击穿（V（BR）GSS） | - |
| Vds（Vgs=0）下的电流漏极（Idss） | - |
| 电流漏出（Id）- 最大值 | - |
| 电压截止（VGS off）@ Id | - |
| 电阻-RDS(开路) | - |
| 电压 | - |
| 电压输出 | - |
| 电压偏移（Vt） | - |
| 栅极到阳极漏电流(Igao) | - |
| 目前-山谷（IV） | - |
| 当前 - 峰值 | - |
| 应用程序 | - |
| 晶体管类型 | - |
| 产品名称 | 2SK3868 |
| 零件号码 | 2SK3868 场效应管 |
| 类型 | MOSFET |
| 支付 | 电汇 |
| 运输 | DHL联邦快递EMS UPS |
| 服务 | 炸弹列表 |
| 质量 | 百分之百原厂出品 百分之百正品 |
| 包装详情 | 标准管 |
| 其他服务 | 一站式炸弹服务 |
| 更多详情 | 请联系我们 |
产品详情
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产品参数
HYST 2SK3868 2SK3668 莫斯菲尔德效应晶体管（Mosfet）0sg55r290f 240v 高质量集成电路芯片（Ic chip）mip0224sy 电子元器件 晶体管（Transistors） MOSFET 2SK3868
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公司简介
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深圳市海思技术科技有限公司成立于2006年，位于中国深圳。该公司是电子元件的专业分销商，提供元件产品、服务和解决方案。仓库存储了多种类型的半导体、存储器、微处理器、被动元件等，其中超过10000种产品库存充足。充足的库存和高效的服务使得海思科技能够迅速响应客户的查询并实现快速交付。
产品包装
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常见问题解答
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HYST 2SK3868 MOSFET 是一款高质量原装IC芯片集成电路电子元件晶体管MOSFET 2SK3868。
￥3.12 ~ ￥6.9
消费电子产业链 · 分立半导体 · 晶体管
品牌2k3868
深圳 
已认证
