Permalink to GaN, SiC and Si squeeze 4.5kW out of server PSU
发布时间:2024年6月4日 05:50
Author电子周刊
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Claimed density is “over 130W/in3 with efficiency over 97%.
The architecture replaces the standard four diode bridge (and boost power factor correction) at the front end with an active all-transistor circuit – a multi-phase totem pole power factor corrector.
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